MOSFET de potencia de canal N TOSHIBA 2SK3878 de 900 V y 9 A en encapsulado TO-247
2sk 3878 - 900v 9a N Channel Mosfet To-247 El 2SK3878 es un MOSFET de alta tensión de nueva generación que emplea un mecanismo de balance de carga mejorado para lograr una resistencia en estado activo excepcionalmente baja y un rendimiento de carga de puerta reducido. Esta tecnología de vanguardia se ha diseñado para minimizar las pérdidas por conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar altas tasas de dv/dt y energía de avalancha. Es ideal para diversas conversiones de potencia CA/CC en modo de conmutación, lo que permite la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. Características Baja resistencia de encendido drenador-fuente: RDS (ON) = 1,0 Ω (típ.) Admitancia de transferencia directa alta: ⎪Yfs⎪ = 7,0 S (típ.) Baja corriente de fuga: IDSS = 100 μA (máx.) (VDS = 720 V) Modelo de mejora: Vth = 2,0~4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ficha de datos Presupuesto Modelo 2SK3878 Marca TOSHIBA Tensión de fuente de drenaje 900 V Tensión d...